Samsung'tan 50 nm DRAM

Samsung Electronics, piyasadaki ilk 50 nm DDR2 DRAM çipini geliştirdiğini duyurdu. Söz konusu çipler, 60 nm düzeyindeki üretim verimini yüzde 55 oranında artırıyor.

Samsung Electronics tarafından geliştirilen yeni 1 gigabit (Gb) DRAM, performans ve veri depolama kapasitesini büyük oranda geliştiren üç boyutlu transistör tasarımı ve çok katmanlı dielektrik teknolojisi gibi ileri teknolojileri bir araya getiriyor.

Samsung Electronics Başkan Yardımcısı Yong Cho konuyu değerlendirirken, "50 nm DRAM'ın geliştirilmesiyle, teknolojik liderliğimizi devam ettirirken, müşterilerimizin sadece daha ucuz değil aynı zamanda çok daha iyi ürünler almalarının da önünü açmış oluyoruz" dedi.

Ürün verimliliğine çözüm olarak yeni geliştirilen 50 nm teknolojisinin temelinde, SEG Tr olarak adlandırılan transistörler yer alıyor. Bu üç boyutlu transistörün, bir yandan güç tüketimini azaltırken diğer yandan da performansın en üst düzeye çıkmasını sağlamak için her bir çipin elektronlarının hızını ayarlayan daha geniş elektron kanalları bulunuyor.

Bellek devreleri sürekli olarak küçülürken, ince hücrelerdeki sınırlı alanların kapsamının giderek artması, yeterli miktarda elektronun güvenliğini ve sürekliliğini daha da zor hale getiriyor. SEG transistörü, 50 nm tasarımının sağladığı ilerlemelere ek olarak, zayıf elektriksel özellikleri kararlı hale getiren çok katmanlı dielektrik katmanları (ZrO2/Al2O3/ZrO2) kullanıyor. Daha fazla elektron tutarak depolama kapasitesini yükselten yeni dieletrik katman, veri depolamada güvenilirliği de artırıyor.

Samsung'un 2003 VLSI sempozyumunda en iyi çalışma ödülünü alan temel üç boyutlu transistor teknolojisi RCAT (Recess Channel Array Transistor) de 50 nm DRAM'le daha iyi çalışabilecek biçimde uyarlandı. DRAM'ın yenilenme süresinin verimini ikiye katlayan RCAT, DRAM'lerde çip boyutu ne olursa olsun yüksek ölçeklenebilirlik olanağı sağladığından, devrelerin 50 nms'nin ötesine geçmesini destekleyen kritik bir teknoloji.

1 Gb 50 nm çip, şimdiye kadarki en gelişmiş seri üretim DRAM seviyesine ulaşarak, DRAM teknolojisinin üç neslini (70 nm, 60 nm, 50 nm) bir araya getiriyor. Samsung'un yeni 50 nm işlem teknolojisi, grafik ve cep telefonu DRAM çiplerini de kapsayan geniş bir kullanım alanına sahip.